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资料
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 900A 4Pin 62MM12371-9¥1812.910010-24¥1796.429025-49¥1788.188550-99¥1779.9480100-149¥1771.7075150-249¥1763.4670250-499¥1755.2265≥500¥1746.9860
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块,Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗,用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块,如 ECONOPACK 封装,1200V 时带集电极开路发射器电压;PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块,其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用,例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块,Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。50781-9¥492.234510-49¥479.393650-99¥469.5489100-199¥466.1247200-499¥463.5565500-999¥460.13231000-1999¥457.9921≥2000¥455.8520
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1700V 440A80011-9¥2202.277010-24¥2182.256325-49¥2172.246050-99¥2162.2356100-149¥2152.2253150-249¥2142.2149250-499¥2132.2046≥500¥2122.1942
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.3kA 6250000mW 10Pin IHM147820-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: IGBT晶体管描述: SEMIKRON SKM 100GB 176 D IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 125A, 1.7kV, 1.7kV, SEMITRANS 251321-9¥512.348010-49¥498.982450-99¥488.7354100-199¥485.1713200-499¥482.4982500-999¥478.93401000-1999¥476.7064≥2000¥474.4788
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品类: IGBT晶体管描述: Ultra Fast IGBT Modules57161-9¥1382.304010-24¥1369.737625-49¥1363.454450-99¥1357.1712100-149¥1350.8880150-249¥1344.6048250-499¥1338.3216≥500¥1332.0384
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT; 1700V, 660A @ 25℃; 650A @ 80℃; 1.7V @ 25℃93801-9¥4545.398010-24¥4504.076225-49¥4483.415350-99¥4462.7544100-149¥4442.0935150-249¥4421.4326250-499¥4400.7717≥500¥4380.1108
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品类: IGBT晶体管描述: SEMIKRON SK 75 GBB 066 T IGBT Array & Module Transistor, 77A, 600V, 800mV28201-9¥353.176510-49¥343.963250-99¥336.8997100-199¥334.4428200-499¥332.6001500-999¥330.14331000-1999¥328.6077≥2000¥327.0722
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 3Pin(3+Tab) TO-26452805-49¥23.458550-199¥22.4560200-499¥21.8946500-999¥21.75431000-2499¥21.61392500-4999¥21.45355000-7499¥21.3533≥7500¥21.2530
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品类: IGBT晶体管描述: “全桥” IGBT MTP (超快NPT IGBT ) , 40 A "Full Bridge" IGBT MTP (Ultrafast NPT IGBT), 40 A85561-9¥431.526010-49¥420.268850-99¥411.6383100-199¥408.6364200-499¥406.3849500-999¥403.38301000-1999¥401.5068≥2000¥399.6306
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 600V 32A 17Pin EconoPACK 2A55421-9¥184.460010-49¥179.648050-99¥175.9588100-199¥174.6756200-499¥173.7132500-999¥172.43001000-1999¥171.6280≥2000¥170.8260
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Mod N-CH 1.2kV 33A 5P Case T-8206320-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: IGBT晶体管描述: SEMIKRON SKM400GAL12T4 IGBT Array & Module Transistor, NPN, 616A, 1.8V, 1.2kV, Module47821-9¥959.709010-49¥926.035050-99¥921.8258100-149¥917.6165150-249¥910.8817250-499¥904.9888500-999¥899.0958≥1000¥892.3610
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON FF400R07KE4 晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 485 A, 1.55 V, 1.25 kW, 650 V, Module76721-9¥791.023210-49¥763.268050-99¥759.7986100-149¥756.3292150-249¥750.7782250-499¥745.9210500-999¥741.0638≥1000¥735.5128
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品类: IGBT晶体管描述: GTR Module Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications Motor Control Applications298020-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: IGBT晶体管描述: GTR Module Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications Motor Control Applications178220-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: IGBT晶体管描述: 半导体解决方案的高速通讯过程和光纤OpticApplications Semiconductor Solutions for High Speed Communi cation and Fiber OpticApplications36181-9¥501.423010-49¥488.342450-99¥478.3139100-199¥474.8258200-499¥472.2097500-999¥468.72151000-1999¥466.5414≥2000¥464.3613
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品类: IGBT晶体管描述: Diode 1.6kV 600A 3Pin PB6030491-9¥1946.505010-24¥1928.809525-49¥1919.961850-99¥1911.1140100-149¥1902.2663150-249¥1893.4185250-499¥1884.5708≥500¥1875.7230
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1.7kV 3.8kA 9Pin IHM19071811-9¥12857.053010-24¥12740.170725-49¥12681.729650-99¥12623.2884100-149¥12564.8473150-249¥12506.4061250-499¥12447.9650≥500¥12389.5238
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品类: IGBT晶体管描述: EconoPIM2模块海沟/ Fieldstopp IGBT4和发射极控制二极管4 EconoPIM2 module with Trench/Fieldstopp IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode72971-9¥401.971010-49¥391.484850-99¥383.4454100-199¥380.6491200-499¥378.5518500-999¥375.75551000-1999¥374.0078≥2000¥372.2601
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品类: IGBT晶体管描述: 14A , 360V N沟道逻辑电平,电压钳位的IGBT 14A, 360V N-Channel, Logic Level, Voltage Clamping IGBTs114920-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT Transistors 600V 10A SPIM892820-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: IGBT晶体管描述: FF300R12KE3 power transistor module. 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode...86391-9¥1201.871010-24¥1190.944925-49¥1185.481950-99¥1180.0188100-149¥1174.5558150-249¥1169.0927250-499¥1163.6297≥500¥1158.1666
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立元件,IXYS XPT 系列 IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术,可降低热电阻和能源损耗。 这些设备提供快速切换时间,具有低尾线电流,并提供各种工业标准和专有封装。 高功率密度和低 VCE(sat) 方形反向偏置安全工作区域 (RBSOA) 高达额定击穿电压 短路容量,确保 10usec 正向通态电压温度系数 可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管 国际标准和专有高电压封装 ### IGBT 分立元件和模块,IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。23511-9¥95.990510-99¥91.8170100-249¥91.0658250-499¥90.4815500-999¥89.56331000-2499¥89.14602500-4999¥88.5617≥5000¥88.0609
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品类: IGBT晶体管描述: 1200V UltraFast 10-30kHz Half-Bridge IGBT in a MTP package958120-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000